Samsung y su nueva apuesta
La empresa coreana comenzó a producir NVME SSD de 3.2 terabyte enfocados en los servidores empresariales. Basado en 3D V-Nand para la próxima generación de servidores empresariales.
La gigante coreana Samsung anunció que ha comenzado a producir en masa las unidades de estado sólido (SSD) de 3,2 terabyte (TB) NVMe * PCIe basado en su 3D V-NAND (Vertical NAND) la tecnología de memoria flash, para su uso en sistemas de servidores empresariales de gama alta.
Duplica su capacidad El nuevo NVMe PCIe SSD, SM1715 utiliza la patentada 3D V-NAND de Samsung en un HHHL (media altura, de medio cuerpo) factor de forma de tipo tarjeta, para ofrecer 3,2 TB de capacidad de almacenamiento, duplicando la anterior de mayor densidad NVMe SSD de 1.6 TB de Samsung.
«A partir de la producción en masa de este nuevo NVMe SSD basado en V-NAND-, que ofrece el más alto nivel de rendimiento y densidad disponibles hoy en día, esperamos ampliar en gran medida el mercado de SSD de alta densidad», indicó Jeeho Baek, vicepresidente de marketing de memorias de Samsung Electronics. «Samsung planea introducir activamente unidades SSD basadas en V-NAND con un rendimiento aún mayor, la densidad y la fiabilidad en el futuro, para mantener a sus clientes globales por delante de su competencia.»
Tecnología innovadora. El SM1715 es una versión mejorada de XS1715 de Samsung en términos de rendimiento y fiabilidad de la unidad. La XS1715 de 2,5 pulgadas fue premiada en los premios a memoria flash en la cumbre como lo mejor del show a principios de este año por ser una de las más innovadoras tecnologías de memoria flash.
La reciente introducción 3,2 TB NVMe SSD proporciona una velocidad de lectura secuencial de 3.000 megabytes por segundo (MB/s) y escribe secuencialmente en hasta 2,200 MB/s. También lee al azar de hasta 750.000 IOPS (operaciones de entrada salida por segundo) y escribe al azar en hasta 130.000 IOPS.
